當(dāng)前位置：【碳化硅換熱器】生產(chǎn)工藝無壓燒結(jié)和反應(yīng)燒結(jié)對比
無壓燒結(jié)碳化硅會取代反應(yīng)燒結(jié)碳化硅嗎？
成本決定了，無壓燒結(jié)很難取代反應(yīng)燒結(jié)，不過無壓燒結(jié)出的產(chǎn)品，表面更光滑、密度更高、強度也要比反應(yīng)燒結(jié)的高，根據(jù)無壓的特性，像密封件類，對表面要求嚴(yán)格的，無壓燒結(jié)的產(chǎn)品已經(jīng)取代了反應(yīng)燒結(jié)產(chǎn)品。
化學(xué)成分一樣，都是碳元素與硅元素一比一的物質(zhì)的量組成，化學(xué)式都是SiC，無壓燒結(jié)碳化硅是碳化硅的一種類型。之所以物理性質(zhì)不同是因為晶體結(jié)構(gòu)不同。
無壓燒結(jié)設(shè)備簡單、易于工業(yè)化生產(chǎn)，是Z基本的燒結(jié)方法。這種方法也被廣泛地應(yīng)用于納米陶瓷的燒結(jié)，主要通過燒結(jié)制度的選擇來達到在晶粒生長Z少的前提下使坯體實現(xiàn)致密化。因為在燒結(jié)過程中，顆粒粗化（Coarsening）、素坯致密化（Densification）、晶粒生長（Grain Growth）三者的活化能不相同的依賴關(guān)系，即顆粒粗化、素坯致密化、晶粒生長三者主要在不同的溫度區(qū)間進行、利用這種關(guān)系，就可通過燒結(jié)溫度的控制，獲得致密化速率大、晶粒生長較慢的燒結(jié)條件。燒結(jié)制度的控制，主要是控制升（降）溫速度、保溫時間及Z高溫度等。Z常用的無壓燒結(jié)為等速燒結(jié)。
碳化硅換熱器生產(chǎn)工藝無壓燒結(jié)和反應(yīng)燒結(jié)腐蝕性能表：
|
碳化硅腐蝕性能表 |
||||
|
測試環(huán)境 Test Environment |
腐蝕量 |
（mg/cm2yr） |
||
|
（Wt%） |
溫度 Temp |
無壓燒結(jié)碳化硅** |
反應(yīng)燒結(jié)碳化硅 |
|
|
98% H2SO4 |
100 |
1.8 |
55 |
|
|
50% NaOH |
100 |
2.6 |
>1000 |
|
|
53% HF |
25 |
<0.2 |
7.9 |
|
|
85% H3PO4 |
100 |
<0.2 |
8.8 |
|
|
70% HNO3 |
100 |
<0.2 |
0.5 |
|
|
45% KOH |
100 |
<0.2 |
>1000 |
|
|
25% HCI |
70 |
<0.2 |
0.9 |
|
|
10% HF plus 57% HNO3 |
25 |
<0.2 |
>1000 |
|
|
無錫市錢橋化工機械有限公司所生產(chǎn)設(shè)備均使用無壓燒結(jié)碳化硅** |
||||
|
|
|
|
|
|
無錫市錢橋化工機械有限公司所生產(chǎn)的碳化硅換熱器設(shè)備均使用無壓燒結(jié)碳化硅。